先進電子材料研究所
單位簡介
先進電子材料研究所成立於2006年,主要針對未來集成電路及核心電子元器件(固態電子器件、電真空器件、介電儲能器件等)高集成度、高功率密度、高可靠性和長壽命發展需求,開展微納電子配套材料、介電材料、金屬功能複合材料、微波材料及相關技術研究工作。
 
研究領域
1、微納電子材料
微納電子材料研究室重點圍繞微納電子技術發展前沿所急需的關鍵功能薄膜材料以及功能納米顆粒和納米線的製備技術、物理性能、可靠性以及器件相容性等基礎性研究而設立。針對32nm節點以下集成電路發展需求,開展高K柵介質材料、新型互連線材料及相關物理氣相沉積製備技術研究。微納電子材料實驗室已建成具有較高水平的局部千級超淨實驗室,已建成微納電子材料材料製備加工設備包括激光分子束外延(LMBE)、激光脈衝沉積(PLD)、多靶源磁控濺射、光刻機、快速退火爐、離子減薄儀、薄膜電性能測試平台等,各項設施在國內具有較高的水平。
2、高儲能密度介電複合材料
在高儲能密度介電材料領域,研究的材料體係主要有玻璃-陶瓷納米複相介電材料、燒結鐵電陶瓷、聚合物薄膜材料、陶瓷/聚合物複合材料及其製備技術。儲能材料製備及測試方麵的設備有高溫熔煉爐、高溫燒結爐、陶瓷切片機、拋光機、鍍膜機、30kV高壓擊穿設備、鐵電測試儀、Agilent4284A、差熱分析儀等。
3、吸氣材料
北京有色金屬研究總院從上世紀70年代開始從事非蒸散型吸氣材料及元件的研究,開展了特種及民用電真空器件發展所急需的新型吸氣材料的成份設計、製備工藝技術、吸氣性能、抗振動衝擊性能、可靠性以及器件相容性等應用基礎性研究,開發出一係列具有自主知識產權的高性能鋯基、鈦基吸氣材料體係。在國內非蒸散型吸氣材料領域處於領先水平,具備雄厚的科研實力。
設計開發的具有不同激活溫度(200℃~900)、不同工作溫度(室溫~400)、不同機械強度的吸氣材料分別在各種類型的中子管、行波管、速調管、陀螺儀、激光管、觸發管、X光管、燈具、真空隔熱板、保溫杯等眾多領域中得到了廣泛應用。
4、第三代半導體材料
針對高功率固態電子器件發展需求,開展具有寬帶隙、高導熱率的第三代半導體材料SiC單晶及其物理蒸汽轉移單晶生長技術、AlN微波基片材料及其表麵金屬化技術研究。4目前該實驗室擁有一套自主建立的可以滿足3英寸SiC單晶生長的PVT單晶生長係統和配套的試驗設備。目前正致力於高絕緣、低缺陷、低成本的SiC單晶的研究工作。
 
 
產品信息
1、高牢固度鋯基吸氣劑(鏈接到產品)
2、高壓陶瓷電容器實驗樣品
 
聯係方式
通信地址:北京市新街口外大街2號先進電子材料研究所
郵政編碼:100088
聯係人:苑鵬
電話:(010)82241247
電子郵箱:yuanpeng@tristeria.com